Сверхбыстродействующие приборы электроники — В учебном пособии рассмотрены современные и перспективные сверхбыстродействующие приборы электроники: полевые транзисторы с затвором Шоттки, гетеробиполярные транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов, мощные СВЧ транзисторы, резонансно-туннельные диоды и приборы, содержащие в активной области новые материалы (графен, нанотрубки). Анализ их работы предваряется описанием моделей переноса заряда на микроуровне без учета квантовых эффектов (уравнение Больцмана, релаксационные уравнения сохранения, метод Монте-Карло) и с учетом эффектов размерного квантования (метод огибающей волновой функций). Особое внимание уделено описанию материалов, используемых в области СВЧ и эффектов переноса горячих электронов, имеющих место при уменьшении характерных размеров приборов в сильном электрическом поле. Предназначено для студентов специальности ":Физическая и биомедицинская электроника", может быть полезно студентам других специальностей и аспирантам вузов.
Название: Сверхбыстродействующие приборы электроники Автор: Москалюк В. А., Тимофеев В. И., Федяй А. В. Издательство: НТУУ «КПИ» Год: 2012 Страниц: 479 Формат: PDF Размер: 10,2 МБ Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Предисловие Введение 1. Средства моделирования 1.1. Метод кинетического уравнения 1.2. Метод Монте-Карло 1.3. Релаксационные уравнения 1.4 Уравнения дрейфово-диффузионной модели 1.5. Квантовые модели переноса заряда 1.6. Моделирование субмикронных структур 2. Полупроводниковые материалы 2.1. Зонная структура полупроводников 2.2. Механизмы и скорости рассеяния 2.3. Средние времена релаксации 2.4. Подвижность электронов 3. Горячие носители в сильном электрическом поле 3.1. Разогрев электронного газа 3.2. Насыщение дрейфовой скорости 3.3. Динамическая проводимость 3.4. «Всплеск» дрейфовой скорости 3.5. Диффузия горячих электронов 4. Субмикронные полевые транзисторы 4.1. Общие свойства 4.2. Квазидвумерная модель птШ 4.3. Схемные модели ПТШ 4.4. Модели ПТШ для режима большого сигнала 4.5. Двумерное моделирование субмикронных ПТШ 4.6. Моделирование эффектов третьего измерения 5. Гетероструктурные полевые транзисторы 5.1. Общие свойства 5.2. Кинетическое моделирование ГСПТ 5.3. Двумерное моделирование ГСПТ 5.4. Гетеротранзисторы с двумя потенциальными ямами 5.5. Гетероструктурные транзисторы с квантовыми точками 6. Мощные СВЧ транзисторы 6.1. Мощные субмикронные ПТШ 6.2. Мощные гетероструктурные полевые транзисторы 6.3. Гетеробиполярные транзисторы 6.4. Мощные МОП-транзисторы 7. Резонансно-туннельные диоды 7.1, Основые представления 7.2. Условно-аналитические модели 7.3. Численные модели 7.4. Двухдолинное моделирование 7.5. Экспериментальная верификация моделей 8. Перспективные наноструктуры и нанокомпоненты 8.1. Сравнительные характеристики наночастиц для применения в электронике 8.2. Нанокомпоненты с использованием туннельного эффекта 8.3. Низкоразмерные структуры на основе графена 8.4. Нанокомпоненты с использованием нанотрубок и нанопрово-лок 8.5 Пассивные компоненты наноинтегральных схем 8.6. Спинтронные структуры 8.7. Ячейки памяти на нанокомпонентах Приложения П2. Усреднение скоростей рассеяния П3. Высокочастотная проводимость П5. Алгоритм численного моделирования гетероструктурных транзисторов
